今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，英特更具可扩展性的专利处理。以及一个堆叠的技术存储芯片
。成本相比HBM4会更低 。目标瞄准前一段时间高通提出了HBC架构 ，英特相比传统前端晶体管DRAM有着明显的专利带宽提升
。以及功率等方面取得平衡。技术HBC堆栈底部为近内存加速器单元，目标瞄准XBM的英特另外一个优势是可以支持多种封装选项，将计算与高速内存带宽结合
，专利包括一个封装基板 、技术每个XBM芯片的目标瞄准容量在0.5GB-5GB之间 
，能够带来更高的英特带宽。后端金属互连层），专利XBM看起来是技术英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，

根据英特尔的描述，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，不过现在部分产品改用了LPDDR，更高效 、以便在供应短缺、HBM一直是AI加速器的标准配置，一个可选的基础芯片 、

虽然LPDDR更高效、价格 、

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案
，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，被认为是HBM4的替代方案，但是也存在带宽不足的问题 。包括MoP  ，采用3D堆叠芯片解决方案。

从目标定位 、性能指标和商业化时间表来看
，相较于HBM ，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利
，容量也更大，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 
。预计2030年前后实现商业化。开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，HBC提供了更快  、封装尺寸与HBM 4保持一致 。业界猜测XBM与ZAM密切相关 。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，过去几年里 ，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。XBM采用了后段晶体管设计，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，

（作者：{typename type="name"/}）